info@tpm13.ru
(8342) 33-35-33
О технопарке
Структура управления
Учредительные и иные документы
Закупки
Команда
Партнеры
Услуги и возможности
Аренда помещений
Услуги по организации мероприятий
Регоператор "Сколково"
Услуги Центра поддержки технологий, инноваций и интеллектуальной собственности
Услуги центра волоконных световодов и лазерных компонентов
Региональный центр инжиниринга
Резиденты
Как стать резидентом
Кластеры
Промышленный кластер «Транспортное и специальное машино- и приборостроение»
Межрегиональный промышленный кластер «Волоконная оптика и оптоэлектроника»
Межрегиональный Лесопромышленный кластер
Пресс-центр
Новости и события
Фирменный стиль
Контакты
Пн-Пт 08:00-18:00
(8342) 33-35-33
info@tpm13.ru
г. Саранск, ул. Лодыгина, 3
Версия для слабовидящих
О технопарке
Структура управления
Научно-технический совет
Наблюдательный совет
Генеральный директор
Учредительные и иные документы
Отчёты
Закупки
Положение о закупках
План закупки
Объявления о закупках
Отчеты
Команда
Партнеры
Услуги и возможности
Аренда помещений
Услуги по организации мероприятий
Регоператор "Сколково"
Услуги Центра поддержки технологий, инноваций и интеллектуальной собственности
Услуги центра волоконных световодов и лазерных компонентов
Региональный центр инжиниринга
Резиденты
Как стать резидентом
Кластеры
Промышленный кластер «Транспортное и специальное машино- и приборостроение»
Межрегиональный промышленный кластер «Волоконная оптика и оптоэлектроника»
Межрегиональный Лесопромышленный кластер
Пресс-центр
Новости и события
Фирменный стиль
Контакты
Главная
Резиденты
ООО "Сэйфсан"
ООО "Сэйфсан"
Руководитель:
Исайкин Алексей Владимирович
Адрес:
г.Саранск, ул.Лодыгина, д.3
Контакты:
8 (8342)33-30-68
isaykin@cnnrm.ru
Технопарк в сфере высоких технологий
← Назад к списку резидентов
О компании
Занимается разработкой и выводом на рынок печатного датчика регистрации дозы поглощенного УФ - А(Б) спектра излучения.
Направление деятельности
Нанотехнологи и композиционные материалы
Инновационные проекты
Разработка и вывод на рынок печатного датчика регистрации дозы поглощённого УФ облучения